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參數資料
| 型號： | APT58M50JCU2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 58 A, 500 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4 |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | APT58M50JCU2 |
APT58M50JCU2
APT
58M
50JCU2
–
Rev
0
Septem
b
er
,2009
www.microsemi.com
4- 5
Low Voltage Output Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
0
5
10
15
20
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A)
VGS=10V
Low Voltage Output Characteristics
5.5V
6V
6.5V
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(A)
VGS=7,8 &10V
TJ=125°C
Normalized RDSon vs. Temperature
0.5
1
1.5
2
2.5
25
50
75
100
125
150
TJ, Junction Temperature (°C)
VGS=10V
ID=42A
R
DS
on
,
D
rai
n
to
So
u
rce
ON
resi
stan
c
e
Ciss
Crss
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10
100
1000
10000
100000
0
50
100
150
200
VDS, Drain to Source Voltage (V)
C,
Cap
a
c
itan
ce
(p
F)
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
01
23
45
67
VGS, Gate to Source Voltage (V)
I D
,Drai
n
Cu
rren
t(
A
)
VDS > ID(on)xRDS(on)MAX
250s pulse test @ < 0.5 duty cycle
Gate Charge vs Gate to Source
VDS=100V
VDS=250V
VDS=400V
0
2
4
6
8
10
12
0
60
120
180
240
300
360
Gate Charge (nC)
V
GS
,Gate
to
So
u
rce
V
o
lt
ag
e
ID=42A
TJ=25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6039BNR | 17 A, 600 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JRDQ3 | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT58M50JCU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 500V SOT227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES |
| APT58M50JU2 | 功能描述:POWER MOD MOSFET 500V 58A SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:10 系列:* |
| APT58M50JU3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - MOSFET - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD MOSFET 500V 58A SOT-227 |
| APT58M80J | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:* |
| APT58M80J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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