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參數(shù)資料
型號(hào): APT6039BNR
元件分類: JFETs
英文描述: 17 A, 600 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商: APT6039BNR
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PDF描述
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參數(shù)描述
APT6039SNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB
APT6040 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
APT6040AN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3
APT6040BN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):130nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):310W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
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