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參數資料
| 型號： | APT6039BNR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 17 A, 600 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | APT6039BNR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF120JRD | 115 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JRDQ3 | 149 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT60GF60JU3 | 93 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT65GP60JDF2 | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APT6039SNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| APT6040 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT6040AN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3 |
| APT6040BN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APT6040BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 |
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