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參數(shù)資料
型號(hào): APTGF50A120T
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-12
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大小: 294K
代理商: APTGF50A120T
APTGF50A120T
A
PT
G
F50A
120T
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.4
RthJC
Junction to Case
Diode
0.65
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To Heatsink
M5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
68
k
W
B 25/85
T25 = 298.16 K
4080
K
ú
ù
ê
é
÷÷
è
-
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Package outline
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50H60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF530U120D4G IGBT
APTGF660U60D4 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF660U60D4 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF75DDA120T 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50A120T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50A120T3WG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF50A120TG 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50A60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50DA120CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
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