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參數資料
| 型號： | APTGF50A120T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 6/6頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGF50A120T |
APTGF50A120T
A
PT
G
F50A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
6- 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
1020304050
C,
Ca
pa
ci
ta
nc
e(
pF)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
400
800
1200
I C
,C
o
ll
ec
to
rC
u
rr
en
t
(A
)
Minimum Switching Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
nc
e(
°C/
W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0
10
20
30
40
50
60
70
10
20
30
40
50
60
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
Fm
a
x,
O
p
e
ra
ti
ng
Fr
e
que
nc
y
(
kHz)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 5
TJ = 125°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50H60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF530U120D4G | IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF75DDA120T | 100 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| APTGF50A120T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF50A120T3WG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF50A120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF50A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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