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參數資料
| 型號： | APTGF50A120T |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-12 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | APTGF50A120T |
APTGF50A120T
A
PT
G
F50A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
5- 6
VGE = 15V
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
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,Turn-
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De
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n
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)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
td
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ff),
T
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D
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(n
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VCE = 600V
RG = 5
VGE=15V
20
60
100
140
180
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,R
ise
T
im
e(
n
s)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
30
40
50
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,F
all
T
im
e
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 5
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
on,
Turn-
O
n
E
n
e
rgy
L
o
s
s(
m
J)
VCE = 600V
RG = 5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
2
4
6
8
0
255075
100
125
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Turn-
of
fE
n
er
gy
Los
s(
m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
102030
40
50
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
ch
ing
E
n
e
rgy
Los
s
es
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
S
w
it
ch
in
g
En
e
rg
y
L
o
s
ses
(
m
J)
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGF50H60T3G | 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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| APTGF660U60D4 | 825 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| APTGF50A120T3WG | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module |
| APTGF50A120TG | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF50A60T1G | 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| APTGF50DA120CT1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
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