- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄42909 > AUIRFS4010TRR 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | AUIRFS4010TRR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 286K |
| 代理商： | AUIRFS4010TRR |
08/16/11
www.irf.com
1
HEXFET Power MOSFET
S
D
G
PD - 96396
AUIRFS4010
AUIRFSL4010
GD
S
Gate
Drain
Source
D
S
G
D2Pak
AUIRFS4010
S
D
G
D
TO-262
AUIRFSL4010
VDSS
100V
RDS(on) typ.
3.9m
:
max.
4.7m
:
ID
180A
AUTOMOTIVE GRADE
HEXFET is a registered trademark of International Rectifier.
*Qualification standards can be found at http://www.irf.com/
Specifically designed for Automotive applications, this
HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per
silicon area. Additional features of this design are a 175°C
junction operating temperature, fast switching speed and
improved repetitive avalanche rating . These features
combine to make this design an extremely efficient and
reliable device for use in Automotive applications and a
wide variety of other applications.
Description
Features
l
Advanced Process Technology
l
Ultra Low On-Resistance
l
175°C Operating Temperature
l
Fast Switching
l
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
l
Lead-Free, RoHS Compliant
l
Automotive Qualified *
Absolute Maximum Ratings
Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress
ratings only; and functional operation of the device at these or any other condition beyond those indicated in the specifications
is not implied.
Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability. The thermal
resistance and power dissipation ratings are measured under board mounted and still air conditions. Ambient temperature (TA)
is 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Units
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
A
IDM
Pulsed Drain Current
c
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
W/°C
VGS
Gate-to-Source Voltage
V
EAS
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)
d
mJ
IAR
Avalanche Current
c
A
EAR
Repetitive Avalanche Energy
c
mJ
dv/dt
Peak Diode Recovery
e
V/ns
TJ
Operating Junction and
TSTG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
jk
–––
0.40
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
i
–––
40
°C/W
°C
300
375
31
-55 to + 175
± 20
2.5
318
See Fig. 14, 15, 22a, 22b
Max.
180
127
720
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFS4010TRL | 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS4010 | 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFSL4010 | 180 A, 100 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| AUIRFS4310ZTRR | 120 A, 100 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFS4310ZTRL | 120 A, 100 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| AUIRFS4115 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:99A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.1 毫歐 @ 62A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 |
| AUIRFS4115-7P | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 105A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:105A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 63A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5320pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:50 |
| AUIRFS4115-7TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 105A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:105A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 63A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5320pF @ 50V 功率 - 最大值:380W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:800 |
| AUIRFS4115TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:99A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.1 毫歐 @ 62A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 |
| AUIRFS4127 | 功能描述:MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:72A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5380pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK（TO-263AB） 標準包裝:50 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。