型號: | AUIRGR4045DTR |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
封裝: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
文件頁數: | 1/15頁 |
文件大小: | 453K |
代理商: | AUIRGR4045DTR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
AUIRGU4045D | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-251AA |
AUIRGR4045D | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
AUIRGR4045DTRL | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
AUIRGR4045DTRR | 12 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA |
AUIRGS30B60KTRR | 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
---|---|
AUIRGR4045DTRL | 功能描述:IGBT 晶體管 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
AUIRGR4045DTRR | 功能描述:IGBT 晶體管 600V LO VCEON IGBT HALF BRIDGE 2 CH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
AUIRGS30B60K | 功能描述:IGBT 晶體管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
AUIRGS30B60KTRL | 功能描述:IGBT 晶體管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
AUIRGS30B60KTRR | 功能描述:IGBT 晶體管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |