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參數資料
| 型號： | AV733 |
| 廠商： | Avic Technology |
| 英文描述： | TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors |
| 中文描述： | 至92塑料封裝晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 171K |
| 代理商： | AV733 |
@
vic
AV733
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
Copyright Avic Electronics Corp.
1
Website:
http://www.avictek.com
AV733 TRANSISTOR
（
PNP
）
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.25 W
（
Tamb=25
℃）
Collector current
I
CM
: -0.1 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -60 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
，
T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
（
Tamb=25
℃
unless otherwise specified
）
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V(BR)
CBO
Ic= -5
μ
A
，
I
E
=0
-60
V
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)
CEO
I
C
= -1 mA , I
B
=0
-50
V
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)
EBO
I
E
= -50
μ
A
，
I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= -60 V , I
E
=0
-0.1
μ
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -5 V , I
C
=0
-0.1
μ
A
DC current gain
H
FE
（
1
）
V
CE
= -6 V, I
C
= -1mA
90
200
600
Collector-emitter saturation voltage
V
CE
(sat)
I
C
= -100mA, I
B
=- 10mA
-0.18
-0.3
V
Transition frequency
f
T
V
CE
= -6 V, I
C
=-10mA
f =
30MHz
100
180
MHz
CLASSIFICATION OF HFE
(1)
Rank
R
Q
P
K
Range
90-180
135-270
200-400
300-600
1
2
3
TO—92
1. EMITTER
2.
COLLECTOR
3.BASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數描述 |
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