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BSC049N03MSCG

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSC049N03MSCG
    BSC049N03MSCG

    BSC049N03MSCG

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • INFINEO

  • QFN8

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • BSC049N03MSCG
    BSC049N03MSCG

    BSC049N03MSCG

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • INFINEON/英飛凌

  • QFN

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • BSC049N03MSCG
    BSC049N03MSCG

    BSC049N03MSCG

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 10000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 22+

  • -
  • 終端免費提供樣品 可開13%增值稅發票

  • BSC049N03MSCG
    BSC049N03MSCG

    BSC049N03MSCG

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 6000

  • INFINEON

  • QFN

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • BSC049N03MSCG
    BSC049N03MSCG

    BSC049N03MSCG

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 20000

  • INFINEON

  • QFN8

  • 假一賠十??!

  • -
  • 絕對原裝現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
BSC049N03MSCG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSC049N03MSCG 技術參數
  • BSC048N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),89A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 15V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC047N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 40V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC046N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4500pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標準包裝:1 BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),80A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):27.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),48W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC046N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 50A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4100pF @ 10V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1
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