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BSP129 E6327

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  • BSP129 E6327
    BSP129 E6327

    BSP129 E6327

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話：0755-83254770

    地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質：營業執照

  • 15000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 18+

  • -

  • 原裝,優勢庫存

  • BSP129 E6327
    BSP129 E6327

    BSP129 E6327

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSP129 E6327
    BSP129 E6327

    BSP129 E6327

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 250000

  • INFINEON

  • SOT223

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價格超越代理！

  • BSP129 E6327
    BSP129 E6327

    BSP129 E6327

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業執照

  • 15326

  • INFINEON

  • SOT223

  • 2024+

  • -

  • 代理商庫房現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
BSP129 E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BSP129 E6327 技術參數
  • BSP126,135 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP126,115 功能描述:MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:375mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 300mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 BSP125L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP125L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP125H6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:* 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:150pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:4,000 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1
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