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BSP15TA

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型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BSP15TA
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ZETEX/DIO
SOT-223
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BSP15TA
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ZETEX
06+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

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功能描述
兩極晶體管 - BJT -
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BSP15TA 技術參數(shù)

BSP149L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP149L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP149 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:660mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 660mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 400μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433