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BSS159NH6906XT

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSS159NH6906XTSA1
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSS159NH6906XTSA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
INFINEON
con
24+
-
場效應管

BSS159NH6906XTSA1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Infineon Technologies
TO-236-3，SC-59，SOT-2
21+
-
質量保真，價格實惠，假一罰十

1/1頁 40條/頁共9條
1

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BSS159NH6906XT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSS159NH6906XT PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

BSS159NH6906XT 技術參數

BSS159NH6327XTSA2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:39pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS159NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:44pF @ 25V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:3,000 BSS159N H6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS159N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS159N E6906 功能描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:230mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 160mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 26μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:44pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS192,115 BSS192,135 BSS192PE6327 BSS192PE6327T BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327XTSA1 BSS192PL6327HTSA1 BSS205N H6327 BSS205NH6327XTSA1 BSS205NL6327HTSA1 BSS209PW BSS209PW L6327 BSS209PWH6327XTSA1 BSS214N H6327 BSS214NH6327XTSA1 BSS214NL6327HTSA1 BSS214NW L6327 BSS214NWH6327XTSA1