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BSS314PEH6327XTSA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:18724450645

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

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    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業(yè)執(zhí)照

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  • 深圳市百潤電子有限公司
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    電話:17876146278

    地址:沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

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  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯(lián)系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區(qū)華強廣場二樓Q2B046

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • P-KANAL - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
BSS314PEH6327XTSA1 技術參數(shù)
  • BSS314PE H6327 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS308PEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS308PEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS308PE H6327 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS306NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C
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