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BSS340NWH6327XTSA1

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    BSS340NWH6327XTSA1

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 90441

  • Infineon Technologies

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BSS340NWH6327XTSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • SMALL SIGNAL+P-CH
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • *
  • 零件狀態
  • 在售
  • 標準包裝
  • 3,000
BSS340NWH6327XTSA1 技術參數
  • BSS316NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS316NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):94pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS316N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):282pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.3nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):282pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 1.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS670S2L BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235
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