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BSS606NH6327XTSA1

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
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    電話:18724450645

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  • BSS606NH6327XTSA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    資質:營業執照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
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    聯系人:陳小姐

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    地址:都會軒3607

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

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  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

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    電話:0755-83014603

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
BSS606NH6327XTSA1 技術參數
  • BSS44 功能描述:TRANS PNP 60V 5A TO-39 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):500nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 2A,2V 功率 - 最大值:870mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:100 BSS340NWH6327XTSA1 功能描述:SMALL SIGNAL+P-CH 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:3,000 BSS316NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS316NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.6nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):94pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSS316N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215 BSS83,235 BSS83P H6327 BSS83PE6327
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