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BSS225H6327XTSA1

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批號
價格
說明
操作

BSS225H6327XTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSS225H6327XTSA1
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
49766
Infineon Technologies
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSS225H6327XTSA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SOT89
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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BSS225H6327XTSA1 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
制造商
infineon technologies
系列
SIPMOS?
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
90mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
45 歐姆 @ 90mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 94μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
5.8nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
131pF @ 25V
功率 - 最大值
1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-243AA
供應商器件封裝
PG-SOT89
標準包裝
1,000

BSS225H6327XTSA1 技術參數

BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:390mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS223PW L6327 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:390mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS215PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:346pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L