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BSZ215CHXTMA1

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSZ215CHXTMA1
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 328660

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSZ215CHXTMA1
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 328660

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • BSZ215CHXTMA1
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 328660

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • BSZ215CHXTMA1
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 328660

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSZ215CHXTMA1
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 328660

  • INFINEON

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSZ215CHXTMA1
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSZ215CHXTMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101,OptiMOS?
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • N 和 P 溝道互補型
  • FET 功能
  • 邏輯電平柵極,2.5V 驅動
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 5.1A, 3.2A
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 55 毫歐 @ 5.1A, 4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.4V @ 110μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 2.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 419pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 2.5W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3)
  • 標準包裝
  • 5,000
BSZ215CHXTMA1 技術參數
  • BSZ180P03NS3GATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),39.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 48μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2220pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 BSZ180P03NS3EGATMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),39.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.1V @ 48μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2220pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 標準包裝:1 BSZ16DN25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.9A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11.4nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):920pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 5.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ16DN25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10.9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 32μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):920pF @ 100V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ165N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.9A(Ta),31A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):840pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M BT-02-50M BT05-2A66 BT-1 BT1.5I-C BT1.5I-C0 BT1.5I-M BT1.5I-M0
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