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BZ-C32G-B3-V1K-6F(TSST)

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BZ-C32G-B3-V1K-6F(TSST) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZ-C32G-B3-V1K-6F(TSST) 技術參數

BZB984-C9V1,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 9.1V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C8V2,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 8.2V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C7V5,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 7.5V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C6V8,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 6.8V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C6V2,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售配置:1 對共陽極電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗（最大值）（Zzt）:6 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:1 BZD17C100P RUG BZD17C100P RVG BZD17C100P-E3-08 BZD17C100P-E3-18 BZD17C10P-E3-08 BZD17C10P-E3-18 BZD17C110P-E3-08 BZD17C110P-E3-18 BZD17C11P M2G BZD17C11P MHG BZD17C11P MQG BZD17C11P MTG BZD17C11P R3G BZD17C11P RFG BZD17C11P RHG BZD17C11P RQG BZD17C11P RTG BZD17C11P RUG