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BZ-CB53V1A

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

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    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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BZ-CB53V1A 技術參數(shù)
  • BZB984-C9V1,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 9.1V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 配置:1 對共陽極 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C8V2,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 8.2V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 配置:1 對共陽極 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C7V5,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 7.5V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 配置:1 對共陽極 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C6V8,115 功能描述:Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 6.8V 265mW ±5% SOT-663 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 配置:1 對共陽極 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:4,000 BZB984-C6V2,115 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 6.2V SOT663 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 配置:1 對共陽極 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:265mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-663 供應商器件封裝:SOT-663 標準包裝:1 BZD17C100P RUG BZD17C100P RVG BZD17C100P-E3-08 BZD17C100P-E3-18 BZD17C10P-E3-08 BZD17C10P-E3-18 BZD17C110P-E3-08 BZD17C110P-E3-18 BZD17C11P M2G BZD17C11P MHG BZD17C11P MQG BZD17C11P MTG BZD17C11P R3G BZD17C11P RFG BZD17C11P RHG BZD17C11P RQG BZD17C11P RTG BZD17C11P RUG
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