型號: | BC850 |
廠商: | KEC Holdings |
英文描述: | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
中文描述: | 外延平面NPN晶體管(通用,開關) |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大小: | 46K |
代理商: | BC850 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BC850BLT1 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
BC850CLT1 | High Speed CMOS Logic Triple 3-Input NOR Gates 14-SOIC -55 to 125 |
BC857A.B | CMOS Image Sensor |
BC857BTT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
BC857BWQ62702C2294 | TRANSISTOR SOT323 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BC850A | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
BC850-A-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
BC850-A-AL3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATION |
BC850ALT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) |
BC850AMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |