型號: | BC857AT-7 |
廠商: | DIODES INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125 |
中文描述: | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 52K |
代理商: | BC857AT-7 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BC857CT-7 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
BC857U | High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-PDIP -55 to 125 |
BC858BDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
BC856BDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
BC857CDW1T1 | Dual General Purpose Transistors(PNP Duals) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BC857AT-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857A-TP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -50V -100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC857-AU_0_00001 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |