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參數資料
型號: BC857AWT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述: 通用晶體管(民進黨硅)
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 25K
代理商: BC857AWT1
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料
PDF描述
BC857BWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857T PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管)
BC856T PNP general purpose transistors
BC858AF PNP general purpose transistors
BC858BF PNP general purpose transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
BC857A-Z3E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
BC857B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC857B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
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