欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: BCP52
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
封裝: BCP52-16<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCX52<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;BCX
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 115K
代理商: BCP52
1.
Product profile
1.1 General description
PNP medium power transistor series.
[1]
Valid for all available selection groups.
1.2 Features
I
High current
I
Two current gain selections
I
High power dissipation capability
1.3 Applications
I
Linear voltage regulators
I
High-side switches
I
MOSFET drivers
I
Amplifiers
1.4 Quick reference data
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
Rev. 08 — 25 February 2008
Product data sheet
Table 1.
Type number
[1]
Product overview
Package
NXP
SOT223
SOT89
NPN complement
JEITA
SC-73
SC-62
JEDEC
-
TO-243
BCP52
BCX52
BCP55
BCX55
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
Conditions
open base
Min
-
-
-
63
Typ
-
-
-
-
Max
60
1
1.5
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
1 ms
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
h
FE
selection -10
63
-
160
h
FE
selection -16
100
-
250
相關PDF資料
PDF描述
BCP52-10
BCP52-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
相關代理商/技術參數
參數描述
BCP52 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52_00 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier
BCP52_13 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:60 V, 1 A PNP medium power transistors
BCP52_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-223 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
主站蜘蛛池模板: 湟中县| 荥经县| 桦甸市| 新野县| 儋州市| 盘山县| 沂水县| 桐庐县| 凯里市| 高邑县| 南部县| 阿克陶县| 酒泉市| 澄迈县| 新宾| 新化县| 长宁区| 汕头市| 平乡县| 米林县| 赤壁市| 密云县| 重庆市| 湖北省| 同仁县| 溧水县| 雷州市| 习水县| 彭阳县| 衡水市| 巴彦淖尔市| 育儿| 合水县| 青川县| 精河县| 历史| 天全县| 龙南县| 晋江市| 定州市| 报价|