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參數資料
| 型號： | BCP55 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | BCP55 |
SOT223 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 AUGUST 1995
%
FEATURES
*
Suitable for AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP52
PARTMARKING DETAILS
BCP55
BCP55 10
BCP55 16
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
60
V
Collector-Emitter Voltage
60
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
1.5
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
60
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
60
V
I
C
= 10mA *
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
20
nA
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
10
μ
A
V
EB
=5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.5
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
1.0
V
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BCP55-10
BCP55-16
40
25
63
100
100
160
250
160
250
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BCP55
C
C
E
B
3 - 17
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PDF描述 |
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