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參數資料
型號: BD137-16
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
中文描述: 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 44K
代理商: BD137-16
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 04
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BD135; BD137; BD139
NPN power transistors
book, halfpage
M3D100
相關PDF資料
PDF描述
BD139 NPN SILICON TRANSISTORS
BD179-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225AA
BD179 NPN SILICON TRANSISTOR
BD180-10 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
BD175-10 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:50mA RoHS Compliant: NA
相關代理商/技術參數
參數描述
BD13716S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD13716STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD137-25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD137-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
BD1376S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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