型號: | BD234 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管) |
中文描述: | 硅PNP晶體管(硅晶體管進步黨) |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 62K |
代理商: | BD234 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BD239C | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
BD240C | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
BD241BFI | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
BD242BFI | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
BD241CFP | Complementary Silicon Power Transistor(互補硅功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BD234G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 45V 25W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD234STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD235_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
BD235_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN power transistors |