- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382864 > BD533FP (意法半導(dǎo)體) Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD533FP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 互補(bǔ)硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | BD533FP |
BD533FP
BD534FP
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
BD534FPIS SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPE
I
FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE
I
2000 V DC ISOLATION(U.L. COMPLIANT)
DESCRIPTION
The BD533FP is silicon epitaxial-base NPN
power transistor in Jedec TO-220FP fully molded
isolated package, intented for use in medium
power linearand switching applications.
The complementaryPNP type is BD534FP.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD533FP
BD534FP
45
45
45
5
8
1
25
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C,
I
E
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector and Emitter Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
1
2
3
TO-220FP
1/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD534FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| BD537 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| BD536 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管) |
| BD678A | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BD670 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD533J | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD533K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BD534 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD5340 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:VOLTAGE DETECTOR IC with adjustable delay time |
| BD5340FVE | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Voltage Detector IC with Adjustable Output Delay |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。