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參數資料
| 型號： | BD534FP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率晶體管（互補硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | BD534FP |
BD533FP
BD534FP
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
BD534FPIS SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPE
I
FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE
I
2000 V DC ISOLATION(U.L. COMPLIANT)
DESCRIPTION
The BD533FP is silicon epitaxial-base NPN
power transistor in Jedec TO-220FP fully molded
isolated package, intented for use in medium
power linearand switching applications.
The complementaryPNP type is BD534FP.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 1998
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD533FP
BD534FP
45
45
45
5
8
1
25
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C,
I
E
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector and Emitter Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
1
2
3
TO-220FP
1/4
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