- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369448 > BD534FP TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220FP PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BD534FP |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220FP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至220FP |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | BD534FP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD534K | Triac; Triac Type:Internally Triggered; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):15A; Gate Trigger Current (QI), Igt:25uA; Package/Case:TO-220; Gate Trigger Current Max, Igt:1.5A |
| BD535J | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BD535K | Triac; Triac Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:20mA; Package/Case:3-TO-220; Current, It av:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:20mA |
| BD536J | Triac; Triac Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):25A; Gate Trigger Current (QI), Igt:80mA; Package/Case:3-TO-218X; Current, It av:25A; Gate Trigger Current Max, Igt:80mA |
| BD536K | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD534J | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD534K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD534KTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD535 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD5350 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:VOLTAGE DETECTOR IC with adjustable delay time |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。