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參數資料
| 型號： | BF579 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Silicon PNP Planar RF Transistor |
| 中文描述： | 進步黨射頻硅平面晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | BF579 |
BF579/BF579R
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (5)
Document Number 85001
Silicon PNP Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
UHF/VHF uncontrolled prestages with low noise and
low cross modulation.
Features
High transition frequency
Low distortion
13 581
2
3
1
94 9280
BF579 Marking: G7
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581
2
3
1
9510527
BF579R Marking: GG
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
20
3
25
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–55 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF579R | Silicon PNP Planar RF Transistor |
| BF599 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BF599 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, VHF BAND AMPLIFIER) |
| BF822 | Small Signal Transistors (NPN) |
| BF822 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BF579_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PNP Planar RF Transistor |
| BF579-GS08 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BF579R | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon PNP Planar RF Transistor |
| BF579R-GS08 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BF583 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN high-voltage transistors |
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