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參數資料
型號: BF579R
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon PNP Planar RF Transistor
中文描述: 進步黨射頻硅平面晶體管
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 66K
代理商: BF579R
BF579/BF579R
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (5)
Document Number 85001
Silicon PNP Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
UHF/VHF uncontrolled prestages with low noise and
low cross modulation.
Features
High transition frequency
Low distortion
13 581
2
3
1
94 9280
BF579 Marking: G7
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581
2
3
1
9510527
BF579R Marking: GG
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
–V
CBO
–V
CEO
–V
EBO
–I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
20
3
25
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
60 C
–55 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
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PDF描述
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參數描述
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