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參數(shù)資料
型號(hào): BFM505
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Dual NPN wideband transistor
封裝: BFM505<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁(yè)數(shù): 1/12頁(yè)
文件大小: 308K
代理商: BFM505
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1995 Sep 04
1996 Oct 08
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFM505
Dual NPN wideband transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFM505 Dual NPN wideband transistor
BFM505 Dual NPN wideband transistor
BFN22 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BFN23 MS3126E14-19P
BFP67 Silicon NPN Planar RF Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFM505 T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFM505,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFM505115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL NPN 8V SOT- 制造商:NXP 功能描述:
BFM505T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 20V V(BR)CEO | 18MA I(C) | SOT-363
BFM520 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363*NIC*
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