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參數資料
型號: BFQ67W
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon NPN Planar RF Transistor
中文描述: 硅NPN平面射頻晶體管
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 185K
代理商: BFQ67W
BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 3, 20-Jan-99
1 (12)
Document Number 85022
Silicon NPN Planar RF Transistor
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Applications
Low noise small signal amplifiers up to 2 GHz. This
transistor has superior noise figure and associated
gain performance at UHF, VHF and microwave fre-
quencies.
Features
Small feedback capacitance
Low noise figure
High transition frequency
13 581
2
3
1
94 9280
BFQ67 Marking: V2
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
13 581
2
3
1
9510527
BFQ67R Marking: R67
Plastic case (SOT 23)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
2
1
3
13 652
13 570
BFQ67W Marking: WV2
Plastic case (SOT 323)
1 = Collector, 2 = Base, 3 = Emitter
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PDF描述
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應用的NPN平面型晶體管)
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流20mA,低噪高增益放大器應用的NPN平面型晶體管)
BFR181TW Silicon NPN Planar RF Transistor
BFR181T Silicon NPN Planar RF Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ
BFQ67WT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323
BFQ68 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-122A
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