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參數資料
| 型號： | BFR505 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 9 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFR505<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFR505/C<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | BFR505 |
1. Product profile
1.1 General description
The BFR505 is an NPN silicon planar epitaxial transistor, intended for applications in the
RF front end in wideband applications in the GHz range, such as analog and digital
cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers
and satellite TV tuners (SATV).
The transistor is encapsulated in a plastic SOT23 envelope.
1.2 Features and benefits
High power gain
Low noise figure
High transition frequency
Gold metallization ensures excellent reliability.
1.3 Quick reference data
Table 1.
Symbol Parameter
V
CBO
collector-base
voltage
V
CES
collector-emitter
voltage
I
C
DC collector
current
P
tot
total power
dissipation
h
FE
DC current gain
C
re
feedback
capacitance
f
T
transition frequency I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V; f = 1 GHz
G
UM
maximum unilateral
power gain
BFR505
NPN 9 GHz wideband transistor
Rev. 4 — 7 September 2011
Product data sheet
ST3
Quick reference data
Conditions
open emitter
Min
-
Typ
-
Max
20
Unit
V
R
BE
= 0
-
-
15
V
-
-
18
mA
up to T
s
= 135
C
[1]
-
-
150
mW
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V
I
C
= i
c
= 0 A; V
CB
= 6 V; f = 1 MHz
60
-
120
0.3
250
-
pF
-
-
9
17
-
-
GHz
dB
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C; f = 900 MHz
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C; f = 2 GHz
I
C
= 5 mA; V
CE
= 6 V;
T
amb
= 25
C; f = 900 MHz
-
10
-
dB
S
21
2
insertion power
gain
13
14
-
dB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR92AF | Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFS17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFS17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFS17H | NPN SILICON PLANAR RF TRANSISTORS |
| BFS17L | CANMS3126E24-61PF0 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFR505,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFR505/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| bfr505215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 9GHZ SOT |
| BFR505T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 9 GHz wideband transistor |
| BFR505T,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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