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參數資料
| 型號： | BFS17L |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | CANMS3126E24-61PF0 |
| 中文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | BFS17L |
C
SOT23 NPN SILICON PLANAR
RF TRANSISTORS
ISSUE 4 – MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS —
BFS17L - E1L
BFS17H - E1H
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
25
V
Collector-Emitter Voltage
15
V
Emitter-Base Voltage
2.5
V
Peak Pulse Current
50
mA
Continuous Collector Current
25
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
330
mW
-55 to +150
°C
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
10
10
nA
μ
A
V
CB
=10V, I
E
=0
V
CB
=10V, I
=0,
T
amb
= 100°C
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
BFS17L
25
100
I
C
=2.0mA, V
CE
=1.0V
BFS17H
70
200
I
C
=2.0mA, V
CE
=1.0V
20
125
I
C
=25mA, V
CE
=1.0V
Transition
Frequency
f
T
1.0
1.3
GHz
GHz
I
=2.0mA, V
CE
=5.0V
f=500MHz
I
=25mA, V
CE
=5.0V
f=500MHz
Feedback Capacitance
-C
re
0.85
pF
I
C
=2.0mA, V
CE
=5V, f=1MHz
Output Capacitance
C
obo
1.5
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Input Capacitance
C
ibo
2.0
pF
V
EB
=0.5V, f=1MHz
Noise Figure
N
4.5
dB
I
C
=2.0mA, V
=5.0V
R
S
=50
, f=500MHz
Intermodulation
Distortion
d
im
-45
dB
I
C
=10mA, V
CE
=6.0V
R
L
=37.5
,T
=25°C
V
o
=100mV at f
p
=183MHz
V
=100mV at f
q
=200MHz
measured at f
(2q-p)
=217MHz
BFS17L
BFS17H
B
E
Spice parameter data is available upon request for this device
TBA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS17W | NPN 1 GHz wideband transistor |
| BFS17W | NPN 1 GHz wideband transistor |
| BFS17 | NPN 1GHz wideband transistor |
| BFS17 | NPN 1GHz wideband transistor |
| BFS19 | CANMS3126F10-6PF0 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFS17LT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SILICON |
| BFS17LT116 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| BFS17LTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BFS17LTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BFS17N | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN RF TRANSISTOR IN SOT-23 |
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