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參數資料
| 型號： | BFS19 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | CANMS3126F10-6PF0 |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | BFS19 |
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
01.11.2003
2
m
1
±
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
Type
Code
1.9
BFS 19
High Frequency Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
NPN
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
1 = B
2 = E
3 = C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25 C)
Grenzwerte
(T
A
= 25 C)
BFS 19
Collector-Emitter-voltage
B open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
T
j
T
S
20 V
Collector-Base-voltage
E open
30 V
Emitter-Base-voltage
C open
5 V
Power dissipation – Verlustleistung
250 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
30 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
30 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
150 C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- 65…+ 150 C
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V, T
j
= 100 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
CB0
I
CB0
–
–
100 nA
–
–
10 A
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
EB0
–
–
100 nA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS19 | NPN medium frequency transistor |
| BFS20 | Epitaxial Planar NPN Transistor(High Frequency Application,VHF Band Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(高頻應用,VHF波段放大器應用)) |
| BFS20 | NPN medium frequency transistor |
| BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFS25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFS19 /T3 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-11 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS19 T/R | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ TAPE-7 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS19,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS19,235 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS19215 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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