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參數資料
| 型號： | BFS17 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN 1GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFS17<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BFS17<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | BFS17 |
DATA SHEET
Product specification
September 1995
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFS17
NPN 1 GHz wideband transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFS17 | NPN 1GHz wideband transistor |
| BFS19 | CANMS3126F10-6PF0 |
| BFS19 | NPN medium frequency transistor |
| BFS20 | Epitaxial Planar NPN Transistor(High Frequency Application,VHF Band Amplifier Application)(外延平面NPN晶體管(高頻應用,VHF波段放大器應用)) |
| BFS20 | NPN medium frequency transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BFS17 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.025A 3-Pin TO-236AB T/R |
| BFS17,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 25MA 15V 1GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS17,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFS17 Series 15 V 300 mW 1 GHz Wideband NPN Transistor - SOT23 |
| BFS17,235 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 15V 25mA 300mW 25 1GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:15 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFS17 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23 |
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