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參數資料
| 型號： | BS107P |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| 中文描述： | 120 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | BS107P |
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – SEPT 93
FEATURES
*
200 Volt V
DS
*
R
DS(on)
=23
REFER TO BS107PT FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Drain-Source Voltage
V
DS
200
V
Continuous Drain Current at T
amb
=25°C
I
D
0.12
A
Pulsed Drain Current
I
DM
2
A
Gate-Source Voltage
V
GS
±
20
V
Power Dissipation at T
amb
=25°C
P
tot
500
mW
Operating and Storage Temperature Range
T
j
:T
stg
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source
Breakdown Voltage
BV
DSS
200
230
V
I
D
=100
μ
A, V
GS
=0V
Gate Body Leakage
I
GSS
10
nA
VGS=15V, V
DS
=0V
Drain Cut-Off Current
I
DSS
30
nA
V
GS
=0V, V
DS
=130V
Drain Cut-Off Current
I
DSX
1
μ
A
V
GS
=0.2V, V
DS
=70V
Static Drain-Source
on-State Resistance
R
DS(on)
15
23
30
V
GS
=2.6V, I
=25mA*
V
GS
=5V, I
D
=100mA*
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
BS107P
3-23
D
E-Line
TO92 Compatible
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BS170L | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistor |
| BS807 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR |
| BS809 | DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管) |
| BS817 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR |
| BS828 | DMOS Transistors (N-Channel)(N通道DMOS晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BS107P | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N E-LINE |
| BS107PM1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 120MA I(D) | SO |
| BS107PSTOA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS107PSTOB | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BS107PSTZ | 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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