型號: | BS250KL |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | P通道60 - V(下局副局長)MOSFET的 |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大小: | 82K |
代理商: | BS250KL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BS250 | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓-45V,夾斷電流-0.18A的P溝道增強型MOSFET晶體管) |
BSP33 | Medium Power Amplifier(硅平面外延工藝PNP晶體管) |
BSR16 | PNP switching transistors |
BSS129 | N-Channel Depletion-Mode MOSFET Transistor(最大漏源導通電阻20Ω,夾斷電流0.15A的N溝道耗盡型MOSFET晶體管) |
BSS69-L2 | SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BS250KL-TR1 | 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BS250KL-TR1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BS250KL-TR1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
BS250P | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BS250PSTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |