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參數資料
| 型號： | BSM75GB100D |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BSM75GB100D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM75GB160D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GD120DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GD60DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM75GP60 | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSN10AMO | High Voltage Rectifer Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM75GB120D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
| BSM75GB120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 75A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2_E3223 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB120DN2_E3223c-Se | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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