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參數資料
| 型號： | BSM75GB160D |
| 英文描述： | High Voltage Rectifer Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.6KV五（巴西）國際消費電子展| 100號A一（c） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BSM75GB160D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM75GB170DN2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 110A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB170DN2HOSA1 | 功能描述:IGBT Module Half Bridge 1700V 110A 625W Chassis Mount Module 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:上次購買時間 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:11nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 |
| BSM75GB60DL | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| BSM75GB60DLC | 功能描述:IGBT 模塊 600V 75A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM75GB60DLCHOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 600V 100A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:355W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 |
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