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參數資料
| 型號： | BSS52 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Darlington transistors |
| 中文描述： | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封裝： | METAL, TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | BSS52 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 May 13
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Sep 03
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSS50; BSS51; BSS52
NPN Darlington transistors
M3D111
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS61 | PNP Darlington transistors |
| BSS62 | PNP Darlington transistors |
| BSS62T1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| BSS72S | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200A I(C) | TO-18 |
| BSS73CSM | NPN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSS52A | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BSS59 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-18 |
| BSS5AOSAPH | 制造商:Brady Corporation 功能描述: |
| BSS606N H6327 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS606NH6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
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