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參數資料
| 型號： | BSS84LT3 |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | BSS84LT3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84T1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| BSS84T3 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS84-7 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| BSS84 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSS84-NL | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:a??0.13A, a??50V. RDS(ON) = 10?? @ VGS = a??5 V |
| BSS84P | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, P, SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P CH MOSFET, -60V, 170mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-Channel 60V 0.17A SOT23 |
| BSS84P E6433 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SIPMOS® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| BSS84P H6327 | 功能描述:MOSFET P-KANAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSS84P L6327 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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