- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369561 > BUH417 TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BUH417 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-218 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 700V的五（巴西）總裁| 7A條一（c）|至218 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | BUH417 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUH513 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
| BUH515FP | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220FP |
| BUH615 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218VAR |
| BUH713 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 700V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-218VAR |
| BUJ100B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUH417D | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| BUH50 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 500V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUH50/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SWITCHMODE? NPN Silicon Planar Power Transistor |
| BUH50G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 500V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUH51 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 800V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。