型號: | BUJ103AD |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | NPN power transistor |
封裝: | BUJ103AD<SOT428 (DPAK)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT428.html<1<week 1, 2005,; |
文件頁數(shù): | 1/13頁 |
文件大小: | 148K |
代理商: | BUJ103AD |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BUJ103AX | NPN power transistor |
BUJ103A | Silicon diffused power transistor |
BUJ105AB | NPN power transistor |
BUJ105AD | NPN power transistor |
BUJ105A | NPN power transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BUJ103AD,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUJ103AU | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
BUJ103AX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |
BUJ103AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BUJ105A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor |