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參數資料
| 型號： | BUK637-400B |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| 中文描述： | 12 A, 400 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 207K |
| 代理商： | BUK637-400B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK638-800 | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800A | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK638-800B | PowerMOS transistor Fast recovery diode FET |
| BUK7504-40A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUK7509-75 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BUK637-500A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK637-500C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK637-600A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK637-600B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
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