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參數資料
型號: BUR50S
廠商: 意法半導體
英文描述: High Current NPN Silicon Transistor(高電流NPN硅晶體管)
中文描述: 大電流NPN硅晶體管(高電流npn型硅晶體管)
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 71K
代理商: BUR50S
BUR50S
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE
I
NPN TRANSISTOR
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
FAST SWITCHING SPEED
APPLICATIONS
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BUR50S is a silicon multiepitaxial planar
NPN transistors in JEDEC TO-3 metal case,
intented for use in switching and linear
applications in military and industrial equipment.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
1
2
TO-3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
200
125
10
70
100
20
350
-65 to 200
200
Unit
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
p
= 10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
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PDF描述
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相關代理商/技術參數
參數描述
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BUR52 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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BUR52S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN
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