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參數資料
| 型號： | BUR50S |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. |
| 中文描述： | 70 A, 125 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 10K |
| 代理商： | BUR50S |
BUR50S
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V
CEO
*
125
V
I
C(CONT)
70
A
h
FE
@ 50/4 (V
CE
/ I
C
)
15
-
f
t
16M
Hz
P
D
350
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk
.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Generated
1-Aug-02
TO3 (TO204AE)
PINOUTS
1 – Base
2 – Emitter
Case - Collector
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO3
Metal Package.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Dimensions in mm (inches).
1
2
(c3
25.15 (0.99)
10.67 (0.42)
3
3
2
3
1
1
3.84 (0.151)
1
1
7.92 (0.312)
2
(
m
6.35 (0.25)
1.52 (0.06)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUS11A | Bipolar NPN Device |
| busmux | Parameterized Multiplexer(參數確定的多路復用器) |
| BUT11APX-1200 | NPN power transistor |
| BUT12A | SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) |
| BUT56A | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BUR51 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Current RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUR51S | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
| BUR52 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUR52_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS |
| BUR52S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN |
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