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參數(shù)資料
| 型號： | BUX85F |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon diffused power transistors |
| 中文描述： | 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BUX85F |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of February 1996
File under Discrete Semiconductors, SC06
1997 Aug 14
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BUX84F; BUX85F
Silicon diffused power transistors
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUX84F | Silicon diffused power transistors |
| BUX85 | Silicon diffused power transistors |
| BUX85 | SWITCHMODE SERIES NPN POWER TRANSISTORS |
| BUX85 | POWER TRANSISTORS(2A,400-450V,40W) |
| BUX86P | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUX85F/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR ISOLATED SOT-186 |
| BUX85G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 450V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUX85G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| BUX86 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON HIGH VWLTAGE SWITCHING TRANSISTORS |
| BUX86P | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-82 |
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